氮化镓 CAS#: 25617-97-4

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氮化镓

第三代半导体材料 用途与合成方法 MSDS 氮化镓价格(试剂级) 上下游产品信息 专题

中文名称	氮化镓
中文同义词	氮化镓, 99.99% (METALS BASIS);一氮化镓;氮化镓(III), 99.99% (METALS BASIS);氮化镓;氮化镓(III);氮化镓GAN,微黄色或灰色粉末;纳米氮化镓;氮化镓粉末
英文名称	GALLIUM NITRIDE
英文同义词	azanylidynegallane;galliummononitride;galliumnitride(gan);Gallium(III) nitride, 99.99+% metals basis;GALLIUM NITRIDE  POWDER;99.99%(metalsbasis);Gallium Nitride, -100 Mesh;Germanium selenide, 99.99% (metals basis)
CAS号	25617-97-4
分子式	GaN
分子量	83.73
EINECS号	247-129-0
相关类别	金属和陶瓷科学;陶瓷;科研产品或者金属材料;氮化物粉体-氮化镓;semi-conductor material;Ceramics;Metal  and  Ceramic  Science;Nitrides
Mol文件	25617-97-4.mol
结构式

氮化镓 性质

氮化镓 用途与合成方法

第三代半导体材料

第三代半导体材料以氮化镓（GaN）、碳化硅（SiC）、氧化锌（ZnO）、金刚石为代表，是5G时代的主要材料，其中氮化镓（GaN）和碳化硅（SiC）的市场和发展空间最大。
氮化镓作为第三代半导体材料，有更高的禁带宽度，是迄今理论上电光、光电转换效率最高的材料体系，下游应用包括微波射频器件(通信基站等)，电力电子器件(电源等)，光电器件(LED照明等)。不过，第三代半导体材料中，受技术与工艺水平限制，氮化镓材料作为衬底实现规模化应用仍面临挑战，其应用主要是以蓝宝石、硅晶片或碳化硅晶片为衬底，通过外延生长氮化镓以制造氮化镓器件。
实际上，氮化镓（GaN）技术并不是一种新的半导体技术，自1990年起就已经常被用在发光二极管中，但成本昂贵。从制造工艺上来说，氮化镓没有液态，不能使用单晶硅生产工艺的传统直拉法拉出单晶，需要纯靠气体反应合成，而氮气性质非常稳定，镓又是非常稀有的金属（镓是伴生矿，没有形成集中的镓矿，主要从铝土矿中提炼，成本比较高），而且两者反应时间长，速度慢，反应产生的副产物多。生产氮化镓对设备要求又苛刻，技术复杂，产能极低，众多因素叠加影响导致氮化镓单晶材料很贵。

类别

有毒物品

毒性分级

低毒

急性毒性

口服-小鼠LDL0: 10000 毫克/公斤; 腹腔-小鼠LDL0: 5000 毫克/公斤

储运特性

库房通风低温干燥

灭火剂

干粉、泡沫、砂土、二氧化碳, 雾状水

安全信息

MSDS信息

氮化镓 价格(试剂级)

氮化镓 上下游产品信息