碲化镓 CAS#: 12024-14-5

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碲化镓

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中文名称	碲化镓
中文同义词	碲化镓;碲化镓(II), 痕量分析;碲化镓, 99.999% (METALS BASIS);碲化镓(II), 99.999% (METALS BASIS);碲化镓(II);一碲化镓;碲化镓GATE;4N碲化镓
英文名称	GALLIUM TELLURIDE
英文同义词	GALLIUM(II) TELLURIDE;GALLIUM TELLURIDE;galliumtelluride(gate);Gallium(II) telluride, 99.999% (metals basis);Gallium monotelluride;Gallium(II) telluride (GaTe);Gallium(II) telluride lump;Gallium(II) telluride, 99.999%, trace metals basis
CAS号	12024-14-5
分子式	GaH2Te
分子量	199.34
EINECS号	234-690-1
相关类别	镓;催化和无机化学;高纯材料;碲化物;原料
Mol文件	12024-14-5.mol
结构式

碲化镓 性质

碲化镓 用途与合成方法

简介

碲化镓（GaTe）中阳离子空位对晶体管性能的影响机制，并且通过抑制这种作用，获得了一种高性能的光电晶体管器件。GaTe是一个重要的III-VI族半导体层状化合物材料，直接带隙约1.7eV，在光电子器件、辐射探测器及太阳能电池领域极具应用研究价值。然而由于其复杂的单斜晶体结构及晶体的高度各向异性，使其在样品制备及器件加工方面存在一定的困难，目前少有关于GaTe纳米片的光电性能研究。

制备

一种二维碲化镓材料的制备方 法，其特点是采用以下步骤：步骤一、采用垂直布里奇曼晶体生长法，将Ga:Te按物质的量比1:1进行配料，制备GaTe单晶体。步骤二、在Ar气氛下的米开罗那Universal2440-750手套箱内，选取大块表面光 滑无褶皱的GaTe体材料，并沿自然解理面将其分离为多块。步骤三、在Ar气氛下的米开罗那Universal2440-750手套箱内，使用思高胶带从表层光亮、损伤较小的GaTe块体材料表面撕离一块厚度约为6-8μm的GaTe薄片。步骤四、在Ar气氛下的米开罗那Universal2440-750手套箱内，将带有GaTe薄片的思高胶带多次粘合分离，直至胶带表面不再光亮，成功附着较为密集的数百纳米厚度的GaTe片层。

安全信息

MSDS信息

碲化镓 价格(试剂级)

碲化镓 上下游产品信息