半导体三管又称“晶体三管”或“晶体管”。在半导体锗或硅的单晶上制备两个能相互影响的PN结,组成一个PNP(或NPN)结构。中间的N区(或P区)叫基区,两边的区域叫发射区和集电区,这三部分各有一条电引线,分别叫基B、发射E和集电C,是能起放大、振荡或开关等作用的半导体电子器件。
三管内部有两个PN结,可用万用表电阻档分辨e、b、c三个。在型号标注模糊的情况下,也可用此法判别管型。
① 基的判别
判别管时应先确认基。对于PNP管,用黑表笔接假定的基,用红表笔分别接触另外两个,若测得电阻都小,约为几百欧~几千欧;而将黑、红两表笔对调,测得电阻均较大,在几百千欧以上,此时假定就是基。NPN管,情况正相反,测量时两个PN结都正偏(电阻均较小)的情况下,红表笔接基。
实际上,小功率管的基一般排列在三个管脚的中间,可用上述方法,分别将黑、红表笔接基,既可测定三管的两个PN结是否完好(与二管PN结的测量方法一样),又可确认管型。
② 集电和发射的判别
确定基后,假设余下管脚之一为集电c,另一为发射e,用手指分别捏住c与b(即用手指代替基电阻Rb)。同时,将万用表两表笔分别与c、e接触,若被测管为NPN,则用黑表笔接触c、用红表笔接e(PNP管相反),观察指针偏转角度;然后再设另一管脚为c,重复以上过程,比较两次测量指针的偏转角度大的表明IC大,管子处于放大状态,相应假设的c、e正确。
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