晶体三管的结构和类型
晶体三管,是半导体基本元器件之一,具有电流放大作用,是电子电路的元件。三管是在一块半导体基片上制作两个相距很近的PN结,两个PN结把正块半导体分成三部分,中间部分是基区,两侧部分是发射区和集电区,排列方式有PNP和NPN两种,
从三个区引出相应的电,分别为基b发射e和集电c。
发射区和基区之间的PN结叫发射结,集电区和基区之间的PN结叫集电。基区很薄,而发射区较厚,杂质浓度大,PNP型三管发射区"发射"的是空穴,其移动方向与电流方向一致,故发射箭头向里;NPN型三管发射区"发射"的是自由电子,其移动方向与电流方向相反,故发射箭头向外。发射箭头向外。发射箭头指向也是PN结在正向电压下的导通方向。硅晶体三管和锗晶体三管都有PNP型和NPN型两种类型。
晶体三管具有电流放大作用,其实质是三管能以基电流微小的变化量来控制集电电流较大的变化量。这是三管基本的和重要的特性。我们将ΔIc/ΔIb的比值称为晶体三管的电流放大倍数,用号“β”表示。电流放大倍数对于某一只三管来说是一个定值,但随着三管工作时基电流的变化也会有的改变。
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