BLF7G20LS BLF6G22 BLF7G22LS-130 NXP大功率LDMOS晶体管

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BLF7G20LS-250P&sp;&sp; BLF6G22-180PN&sp; BLF7G22LS-130&sp;&sp; &sp;NXP大功率LDMOS晶体管

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华英半导体渠道原装供应：邵先生/

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250瓦LDMOS基站应用的功率晶体管在1805兆赫到1880兆赫的频率

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• 合有害物质限制（RoHS）的指令2002/9??5/EC
• 宽带运营设计（1805兆赫到1880兆赫）
• 专为低记忆效应，提供优良的售前，distortability
• 出色的耐用性
• 率
• 集成D保护
• 内部匹配的易用性
• Doherty应用了性能较低的输出电容
• 低R&sp;_TH提供优良的热稳定性
• 应用隐藏
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